NVMFS6H824NLT1G和NVTFS6H888NLTAG功率MOSFET

安森美半导体NVMFS6H824NLT1G和NVTFS6H888NLTAG MOSFET是符合AEC-Q101标准的车规级功率MOSFET，采用小尺寸扁平引线DFN5封装，设计紧凑。这些安森美半导体器件具有低栅极电荷 (Q_G) 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗，另外还具有低导通电阻 (R_{DS (on)})，可降低导通损耗。可湿性侧翼选项（NVMFS6H824NLWF和NVTFS6H888NLWF采用WDFN8封装）提供增强型光学检测。典型应用包括开关电源、电机控制、电源开关（高/低侧驱动器和半桥）、48V系统、直流/直流转换器和负载开关。