英飞凌OptiMOS ™ 5 75V至100V车用MOSFET专为高性能应用而设计,可满足比AEC-Q101标准更高的要求。 这款N沟道增强模式器件将稳健的设计与先进的技术相结合,在单个封装中集成了线性FET (LINFET) 和低RDS(on) FET (ONFET) 的特性。这种双栅极配置为每个MOSFET提供了专用栅极引脚,提高了电路设计的灵活性和控制能力。线性FET拥有改进的安全工作区 (SOA) 和卓越的并行能力,可确保在各种条件下实现可靠的线性工作。英飞凌OptiMOS ™ 5 75V至100V MOSFET可在-55°C至+175°C宽温度范围内工作,采用PG-HSOF-8-2封装。