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OptiMOS™ 5 75V-100V车用MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5 75V至100V车用MOSFET专为高性能应用而设计，并具备超过AEC-Q101标准要求的扩展认证。这款N沟道增强型设备采用强固设计和先进技术，将线性FET (LINFET) 和低RDS(on) FET (ONFET) 特性集成于单一封装中。这种双栅极配置为每个MOSFET提供了专用栅极引脚，提高了电路设计的灵活性和控制能力。线性FET具备改进的安全工作区 (SOA) 和卓越的并联能力，可确保在不同条件下实现可靠的线性运行。英飞凌OptiMOS™ 75V至100V MOSFET可在-55°C至+175°C的宽温度范围内工作，并采用PG-HSOF-8-2封装。

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
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