OptiMOS™ 5 75V-100V车用MOSFET

英飞凌OptiMOS ™ 5 75V至100V车用MOSFET专为高性能应用而设计,可满足比AEC-Q101标准更高的要求。  这款N沟道增强模式器件将稳健的设计与先进的技术相结合,在单个封装中集成了线性FET (LINFET) 和低RDS(on) FET (ONFET) 的特性。这种双栅极配置为每个MOSFET提供了专用栅极引脚,提高了电路设计的灵活性和控制能力。线性FET拥有改进的安全工作区 (SOA) 和卓越的并行能力,可确保在各种条件下实现可靠的线性工作。英飞凌OptiMOS ™ 5 75V至100V MOSFET可在-55°C至+175°C宽温度范围内工作,采用PG-HSOF-8-2封装。  

结果: 58
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 131 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Si Reel, Cut Tape