IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies
942-IRLHS6242TRPBF
IRLHS6242TRPBF

制造商：

说明：
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 709

库存：
709
可立即发货
在途量:
4,000
预期 2026/3/19
生产周期：
20
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥5.4579 ¥5.46
¥3.0736 ¥30.74
¥2.2939 ¥229.39
¥1.9323 ¥966.15
¥1.7402 ¥1,740.20
¥1.5707 ¥3,141.40
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
¥1.4012 ¥5,604.80
¥1.12548 ¥9,003.84
¥1.10853 ¥26,604.72
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
1 Channel
20 V
22 A
11.7 mOhms
- 12 V, 12 V
1.1 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
9.6 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 36 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
系列: N-Channel
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 5.8 ns
单位重量: 10.430 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs

Infineon Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs deliver an ultra-compact, high density and efficient solution for a wide variety of lower power applications including smartphones, tablet PCs, camcorders, digital still cameras, notebook PC, server and network communications equipment. 

感应式无线充电解决方案

Infineon Technologies感应式无线充电解决方案可通过电磁场将电力从发射端传输到接收端应用。借助该技术，无需物理连接即可为电池充电，这一切都要归功于无线充电电源。对应用进行无线充电的好处是，无需插入设备，也无需考虑插头兼容性问题。另外，由于不接触裸露的电气连接器，因此也更加安全。无线充电在钻井和采矿等更为恶劣的环境中比较可靠。无论在汽车中还是在公共场所，均可以随时充电。最后，使用无线充电可以避免杂乱无章的充电线，并同时为多台设备充电。

无线充电解决方案

Infineon无线充电解决方案可满足当今社会对无线充电应用（如智能手机、可穿戴设备、笔记本电脑和低压驱动设备）日益增长的需求。Infineon的高效和高性价比器件可为用于电感和谐振标准的发射器单元提供最先进的解决方案。Infineon器件可随时用于适配器/充电器，从而缩短完全无线充电解决方案的上市时间。Infineon是无线充电联盟和AirFuel联盟的成员。

功率MOSFET

Infineon率先采用HEXFET功率MOSFET技术，于1979年开发并推出首款六角形拓扑MOSFET。这些新开发的产品仅在四年后即取得了各种专利权，从那时起，大多数MOSFET制造商已经准许各类设计和工艺进入该市场。IR产品具有市场上同类产品中最低的MOSFET导通电阻，让功率转换子系统设计实现了出色的效率。IR将先进的硅技术与创新封装技术相结合。与采用相同占位的标准封装相比，IR POWIRTAB™、Super-220™和Super-247™封装可让每个器件最多承载20A的电流，从而提高了功率密度。IR的FlipFET®封装技术与标准的表面贴装焊接技术兼容，提供100％的硅与占位比，其性能与外形是其3倍大的传统封装相同，因此非常适合用于便携式电话或笔记本电脑等便携式设备。IR的DirectFET®封装支持通过封装顶部从板上吸走热量，从根本上改善了标准SO-8封装的热管理。因此，DirectFET MOSFET可以在为下一代微处理器供电的大电流电路中将电流密度提高一倍，同时将热管理成本降低一半。

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