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IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 30.23 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

942-IRF100B201

制造商编号：

IRF100B201

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

数据表:

IRF100B201 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	192 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	170 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	441 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	StrongIRFET
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	100 ns
正向跨导 - 最小值:	278 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	97 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	110 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
单位重量:	2 g

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数据表

IRF100B201 数据表 (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

IRF100x201 HEXFET™ 功率 MOSFET

Infineon IRF100x201 HEXFET™ 功率 MOSFET 是 100V、单 N 通道 MOSFET，具有增强的结体二极管 dv/dt 和 dl/dt 能力。这些 MOSFET 具有提高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 强度，充分特征化的电容以及雪崩安全工作区 (SOA)。这款 IRF100x201 MOSFET 采用 TO-220 和 D²-Pak 封装，符合 RoHS 指令，不含铅，不含卤素。应用包括有刷和无刷电机驱动器应用、电池供电电路、半桥和全桥拓扑、电源和电源开关。