IRF100B201

Infineon Technologies
942-IRF100B201
IRF100B201

制造商：

说明：
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

数据表:
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库存量: 9,840

库存：
9,840
可立即发货
在途量:
4,000
预期 2026/3/19
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.2441 ¥23.24
¥11.5825 ¥115.83
¥10.4186 ¥1,041.86
¥8.4411 ¥4,220.55
¥8.249 ¥8,249.00

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
192 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
下降时间: 100 ns
正向跨导 - 最小值: 278 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 97 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

Models

Product Catalogs

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

IRF100x201 HEXFET™ 功率 MOSFET

Infineon IRF100x201 HEXFET™ 功率 MOSFET 是 100V、单 N 通道 MOSFET，具有增强的结体二极管 dv/dt 和 dl/dt 能力。 这些 MOSFET 具有提高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 强度，充分特征化的电容以及雪崩安全工作区 (SOA)。 这款 IRF100x201 MOSFET 采用 TO-220 和 D2 -Pak 封装，符合 RoHS 指令，不含铅，不含卤素。 应用包括有刷和无刷电机驱动器应用、电池供电电路、半桥和全桥拓扑、电源和电源开关。

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