650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率MOSFET

英飞凌科技650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率MOSFET是超快二极管，扩展了CFD7系列的电压等级产品。该功率MOSFET具有额外的50V击穿电压、集成快速体二极管、改进的开关性能以及出色的散热性能。这些CFD7功率MOSFET在LLC和相移全桥 (ZVS) 等谐振开关拓扑中提供最高效率。这些MOSFET将快速开关技术的所有优势与出色的硬计算稳健性结合在一起。这些功率MOSFET支持符合可靠性标准的CoolMOS™ CFD7技术，进一步支持高功率密度解决方案。

结果: 14
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
140库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
316库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
268库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
数据表
600库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
数据表
600库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,618库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,303库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,015库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
215库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
149库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
136库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
248库存量
240预期 2026/5/8
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
数据表
无库存交货期 19 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 17 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube