NCP5106和NCP5109高压侧驱动器

安森美半导体NCP5106和NCP5109高压侧驱动器设有两路输出，可直接驱动采用半桥配置的两个N通道功率MOSFET或绝缘栅极双极晶体管(IGBT)。 这些高电压、高侧和低侧驱动器具有每纳秒50伏 (V/ns) 的dV/dt抗扰度，并与3.3V和5V输入逻辑兼容。 这些器件采用自举技术，以确保适当驱动高侧电源开关，并提供坚固的设计。

NCP5106侧驱动器的电压范围高达600V。NCP5109侧驱动器的电压范围高达200V。两款器件 均有两种版本可选。 每款器件的A版本均设有独立的逻辑输入，可适应所有拓扑结构。 B版本设有交叉传导保护，具有100ns的内部固定死区时间。

NCP5106和NCP5109高压侧驱动器采用SOIC−8、PDIP−8和DFN10封装，无铅，并与行业标准器件引脚对引脚兼容。
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电源电压-最小
电源电压-最大
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下降时间
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 栅极驱动器 MOSFET / IGBT Drivers, Dual Input, High Voltage, High and Low Side, 200 V
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IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-8 2 Driver 2 Output 500 mA - 300 mV 20 V 85 ns 35 ns + 150 C NCP5109 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi 栅极驱动器 HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
数据表
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IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-8 2 Driver 2 Output 500 mA - 300 mV 20 V 85 ns 35 ns - 40 C + 125 C NCP5106 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi 栅极驱动器 HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
数据表
3,041库存量
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IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-8 2 Driver 2 Output 500 mA - 300 mV 20 V 85 ns 35 ns - 40 C + 125 C NCP5106 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi 栅极驱动器 MOSFET / IGBT Drivers, Dual Input, High Voltage, High and Low Side, 200 V
数据表
70库存量
2,500预期 2026/2/17
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-8 2 Driver 2 Output 500 mA - 300 mV 20 V 85 ns 35 ns + 150 C NCP5109 Reel, Cut Tape, MouseReel