NXP MRF300射频功率LDMOS晶体管

NXP MRF300射频功率LDMOS晶体管具有无与伦比的输入和输出,可在1.8MHz至250MHz的宽频率范围内工作。这些坚固耐用的晶体管非常适合用于高VSWR工业、科学和医疗 (ISM) 应用、广播、移动无线电、HF/VHF通信以及开关模式电源。MRF300 LDMOS晶体管包括两个具有相反引脚连接的版本(A和B),用于采用推挽式双向配置实现宽带性能。这些晶体管采用行业标准TO-247封装,高度灵活且易于安装。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 370库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 无库存交货期 10 周
最低: 240
倍数: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube