FGH75T65SHD-F155

onsemi
512-FGH75T65SHD_F155
FGH75T65SHD-F155

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3TIGBT TO247 75A 650V

ECAD模型:
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库存量: 636

库存:
636 可立即发货
生产周期:
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥58.3193 ¥58.32
¥35.482 ¥354.82
¥29.7755 ¥2,977.55
¥29.6964 ¥13,363.38
¥29.4478 ¥26,503.02

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
150 A
455 W
- 55 C
+ 175 C
FGH75T65SHD
Tube
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
零件号别名: FGH75T65SHD_F155
单位重量: 6.390 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FGH75T65SHD场终止型沟槽IGBT

安森美半导体FGH75T65SHD场终止型沟槽IGBT非常适合用于要求必须具有低传导损耗和开关损耗的太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用。FGH75T65SHD具有高电流能力、高输入阻抗和快速切换等特性。IGBT 还提供正温度系数,以便并联运行。