NHUB1 PNP/PNP双晶体管

Nexperia NHUMB1 PNP/PNP双晶体管设计用于简化具有高击穿电压、内置电阻器、更少元件数量、更低拾/放贴片成本的电路设计。这些晶体管的集电极-发射极电压 (VCEO) 为80V，输出电流 (IO) 为100mA，环境温度范围 (Tamb) 为-55°C至150°C。典型应用包括数字应用、为节省成本作为BC856系列替代方案、控制IC输入，以及开关负载。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
增益带宽产品fT
最小工作温度
最大工作温度
封装
Nexperia 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT363 80V PNP/PNP RET BJT
数据表
无库存交货期 22 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 10,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT363 80V PNP/PNP RET BJT
数据表
无库存交货期 22 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-8009-3 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel