NVTYS014N08HLTWG

onsemi
863-NVTYS014N08HLTWG
NVTYS014N08HLTWG

制造商:

说明:
MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
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供货情况

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生产周期:
22
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥13.899 ¥13.90
¥11.0853 ¥110.85
¥8.5993 ¥859.93
¥7.0173 ¥3,508.65
¥6.1585 ¥6,158.50
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥3.7177 ¥11,153.10

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-33
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
13.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
15.5 nC
- 55 C
+ 175 C
54 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 7.5 ns
正向跨导 - 最小值: 54 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
系列: NVTYS014N08HL
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 8.7 ns
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已选择的属性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVTYS014N08HL功率MOSFET

安森美半导体NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V、13.9mΩ和40A单N沟道MOSFET,采用紧凑高效的设计,具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(ON),可最大限度地降低导通损耗,另外还具有低电容,可最大限度地降低驱动器损耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。该MOSFET适用于电池反向保护、电源开关、开关电源和其他汽车应用。