NVTYS014N08HLTWG

onsemi
863-NVTYS014N08HLTWG
NVTYS014N08HLTWG

制造商：

说明：
MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

寿命周期:
NRND:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
- 55 C
+ 175 C
NVTYS014N08HL
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 7.5 ns
正向跨导 - 最小值: 54 S
Id-连续漏极电流: 40 A
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 1 Channel
封装 / 箱体: LFPAK-33
Pd-功率耗散: 54 W
产品类型: MOSFETs
Qg-栅极电荷: 15.5 nC
Rds On-漏源导通电阻: 13.9 mOhms
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: Si
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 8.7 ns
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVTYS014N08HL功率MOSFET

安森美半导体NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V、13.9mΩ和40A单N沟道MOSFET，采用紧凑高效的设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。该MOSFET适用于电池反向保护、电源开关、开关电源和其他汽车应用。

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