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SIRA99DP-T1-GE3

Name: Vishay SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIRA99DP-T1-GE3
Price: 25.18 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIRA99DP-T1-GE3

制造商编号：

SIRA99DP-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

数据表:

SIRA99DP-T1-GE3 数据表

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库存量: 2,824

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在途量:: 6,000

预期 2026/11/2
生产周期：: 33

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥28.4534	¥28.45
	¥18.6111	¥186.11
	¥12.9837	¥1,298.37
	¥11.2548	¥5,627.40
	¥10.7576	¥10,757.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥9.0965	¥27,289.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-SO-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	195 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	172.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	104 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerPAK
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	57 ns
正向跨导 - 最小值:	114 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	183 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	64 ns
典型接通延迟时间:	69 ns
单位重量:	506.600 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiRA99DP 30V P沟道MOSFET

Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P沟道MOSFET 是一款TrenchFET^®Gen IV功率MOSFET。SiRA99DP MOSFET具有低导通电阻，可最大限度地降低压降以及降低导通损耗。该SiRA99DP MOSFET的工作温度范围为-55ºC至150ºC。该款功率MOSFET可采用单配置PowerPAK^® SO-8封装。典型应用包括负载开关、适配器和充电器开关、电池保护和电机驱动控制。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.