SIRA99DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIRA99DP-T1-GE3
SIRA99DP-T1-GE3

制造商:

说明:
MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
1 Channel
30 V
195 A
1.7 mOhms
- 20 V, 16 V
1 V
172.5 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 57 ns
正向跨导 - 最小值: 114 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 183 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 69 ns
单位重量: 506.600 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

SiRA99DP 30V P沟道MOSFET

Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P沟道MOSFET 是一款TrenchFET® Gen IV功率MOSFET。SiRA99DP MOSFET具有低导通电阻,可最大限度地降低压降以及降低导通损耗。 该SiRA99DP MOSFET的工作温度范围为-55ºC至150ºC。该款功率MOSFET可采用单配置PowerPAK® SO-8封装。典型应用包括负载开关、适配器和充电器开关、电池保护和电机驱动控制。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

供货情况

库存:
0

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在途量:
9,455
预期 2027/1/28
18,000
预期 2027/5/13
生产周期:
38
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1   最多: 6000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥32.5892 ¥32.59
¥21.1762 ¥211.76
¥14.8934 ¥1,489.34
¥12.4865 ¥6,243.25
¥11.5825 ¥11,582.50
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥10.6672 ¥32,001.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩