FZ2000R33HE4和FZ1400R33HE4 3300V IGBT模块

英飞凌FZ2000R33HE4和FZ1400R33HE4 3300V单开关IGBT模块采用TRENCHSTOP™ IGBT4和发射器控制的4个二极管。绝缘栅极双极晶体管是三端子功率半导体器件,用作电子开关,将高效率和快速开关相结合。FZ2000R33HE4是一款2000A 190mm单开关模块。FZ1400R33HE4是一款1400A 130mm的单开关模块。该器件具有高短路能力和电流密度以及低开关损耗。应用包括大功率转换器、中压转换器以及电机和牵引驱动器。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 IHV IHM T 无库存交货期 26 周
最低: 2
倍数: 2

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.3 V 1.4 kA 400 nA 2.9 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 IHV IHM T 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.2 V 2 kA 400 nA 4.2 MW - 40 C + 150 C Tray