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NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V 244库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V 487库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V 1,038库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 41库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V 584库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 5库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G 313库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 3,618库存量
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 370库存量
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor 65库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V 8,571库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W 5,633库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V 46库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET 535库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 527库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz 21库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4 175库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V 457库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H 50库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H 无库存交货期 10 周
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 150

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H 121库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 253库存量
最低: 1
倍数: 1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V 49库存量
500预期 2026/2/16
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5 1库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

NXP Semiconductors MHT1803B
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L 368库存量
最低: 1
倍数: 1