CSD25501F3 -20V 64mΩ P通道FemtoFET™ MOSFET
Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ P沟道FemtoFET™ MOSFET经过设计和优化，用于缩小众多手持和移动应用的尺寸。该技术可取代标准小信号MOSFET，同时大幅缩小尺寸。通过集成的10kΩ夹体电阻器 (RC)，栅极电压 (VGS) 可以超过内部栅极氧化物的最大值-6V，具体取决于占空比。随VGS通过二极管栅极泄漏 (IGSS) 增加超过 -6V。
Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ P沟道FemtoFET™ MOSFET经过设计和优化，用于缩小众多手持和移动应用的尺寸。该技术可取代标准小信号MOSFET，同时大幅缩小尺寸。通过集成的10kΩ夹体电阻器 (RC)，栅极电压 (VGS) 可以超过内部栅极氧化物的最大值-6V，具体取决于占空比。随VGS通过二极管栅极泄漏 (IGSS) 增加超过 -6V。