STGWT28IH125DF

STMicroelectronics
511-STGWT28IH125DF
STGWT28IH125DF

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
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总价:
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数量 单价
总价
¥13.899 ¥8,339.40
¥13.4583 ¥36,337.41

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
1.25 kV
2.65 V
- 20 V, 20 V
60 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT28IH125DF
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 300
子类别: IGBTs
单位重量: 7 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STGWT28IH125DF 沟槽式栅极场终止型 IGBT

意法半导体STGWT28IH125DF 是一款采用专利先进沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。传导和开关损耗方面的性能均得到优化。同时封装了一个正向压降小的续流二极管。因而这款产品能最大限度地提升任何共振和软开关应用的效率。
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