IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT是采用XPT薄晶圆技术的第四代沟槽IGBT。这些超低VSAT IGBT晶体管支持高达5kHz开关频率，并优化实现了低导通损耗。IXYxN120A IGBT具有高功率密度、低栅极驱动要求和-55°C至+175°C工作温度等优势。这些晶体管采用TO-247和TO-269HV封装，每种封装具有1200V的电压和55A或85A的电流。IXYxN120A IGBT用在电源逆变器、电机驱动器、PFC电路、电池充电器、焊接机、灯具镇流器和浪涌电流保护器电路等应用中。

结果: 53
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
数据表
无库存交货期 41 周
最低： 300
倍数： 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
无库存交货期 48 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube