Vishay Siliconix SiHG47N60E E 系列 600V 高压 MOSFET

Vishay Siliconix SiHG47N60E E 系列 600V 高压 MOSFET 具有低品质因数(FOM)，Rds(on) 为 64mohms，10  下栅极电荷 147nC，从而具有极低的导电及开关损耗，可在大功率、高性能开关模式应用中节约电能。SiHG47N60E E 系列可帮助客户满足能源之星 80 Plus 认证的要求。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
数据表
2,785库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
数据表
942库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube