RJ1x10BBG功率MOSFET

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET为N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。 RJ1G10BBG和RJ1L10BBG功率MOSFET的漏源电压分别为40V和60V，漏极连续电流分别为 ±280A和 ±240A，耗散功率为192W。RJ1x10BBG功率MOSFET符合RoHS标准。此系列功率MOSFET采用无铅镀层，不含卤素，且100%经过Rg和UIS测试。RJ1x10BBG功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括开关、电机驱动器和DC/DC转换器。