600V N沟道MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) 600V N沟道MOSFET基于超级结 (SJ) 技术，具有低R_DS(on)，集成了快速恢复二极管以提高效率。这些集成式快速恢复二极管可确保快速恢复时间，优化了整体开关性能和电路可靠性。600V N沟道MOSFET具有193mΩ的低导通电阻，可确保最大限度地降低功耗。这些MOSFET是现有设计的出色无缝升级，采用隔离式（TO-220F）和非隔离式（TO-220AB）封装。600V N沟道MOSFET非常适合用于电源转换电源、交流-直流转换器、电机控制、电机驱动器和高压开关。