DDR3 SDRAM

Zentel DDR3 SDRAM采用8位预取管线架构，可实现高速数据传输。SDRAM采用双数据速率架构，每个时钟周期两次数据传输。它们采用双向差分数据选通（DQS和/DQS），并发送和接收在接收器处捕获的数据，DQS以边缘对齐进行数据读取，以中心对齐进行数据写入。差分时钟输入（CK和或CK），DLL将DQ和DQS转换与CK转换对齐。

结果: 32
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,420
倍数： 2,420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1,900
倍数： 1,900

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 512 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray