QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) HEMT(高电子迁移率晶体管)是一款非对称双路功率放大器晶体管,适合用于Doherty应用。QPD0011的频率范围为3.3GHz至3.6GHz,最大Doherty增益为13.3db。每条路径中均包含一个单级放大器晶体管。QPD0011采用Doherty配置,平均功率为15W。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 工作频率 工作电源电压 工作电源电流 增益 类型 安装风格 技术 系列 封装
Qorvo 射频放大器 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair

3.3 GHz to 3.6 GHz 48 V 65 mA 13.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel
Qorvo QPD0011JTR13
Qorvo 射频放大器 3.4-3.6GHz 40Wx80W 48V GaN Transistor Pa

3.4 GHz to 3.6 GHz 12.6 dB SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel