650V DTMOS-VI超级结MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。这些器件具有10V漏源电压。

结果: 7
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
数据表
7,283库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
数据表
4,720库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
数据表
432库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
数据表
76库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
数据表
96库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
数据表
交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel