STGWA100H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA100H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA100H65DFB2
Price: 38.06 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGWA100H65DFB2

制造商编号：

STGWA100H65DFB2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon

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数量	单价	总价
	¥43.0078	¥43.01
	¥26.4646	¥264.65
	¥23.4136	¥2,341.36
	¥23.3232	¥13,993.92
	¥23.165	¥27,798.00
5,400	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.55 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	145 A
Pd-功率耗散:	441 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.100 g

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数据表

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PCN

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT基于先进、专有沟槽栅极场终止结构演进而来。HB2系列以较低的电流值和较低的开关能量，通过高级V_CE(sat) 优化导通。STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT在100A I_C时具有1.55V（典型值）低 V_CE(sat)。