L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET

Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N沟道MOSFET具有超低导通电阻、高漏极电流额定值和高耗散能力。这是通过将高耗热封装[L-TOGL（大晶体管外形鸥翼型引线）和S-TOGL（小晶体管外形鸥翼型引线）]与U-MOS IX-H和U-MOS XH芯片工艺相结合实现的。Toshiba L-TOGL和S-TOGL MOSFET还具有大电流能力和高耗散能力，有助于提高各种汽车应用中的功率密度。L-TOGL软件包与现有的TO-220SM（W）软件包尺寸相同。然而，XPQR3004PB大大提高了电流额定值，并将导通电阻显著降低至0.23mΩ（典型值）。与相同尺寸的TO-220SM（W）封装相比，L-TOGL优化的占位面积也有助于改善散热特性。