MDmesh DK5 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFET是超高电压快速恢复二极管，具有950V至1050V击穿电压。DK5具有低至45nC的极低栅极电荷，反向恢复时间(trr)为250ns（典型值）。因此，MDmesh DK5非常适合用于大功率应用中的ZVS LLC谐振转换器。这些应用包括工业焊工、等离子发生器、高频感应熔化/加热和X光机。另外，MDmesh DK5 MOSFET系列还具有0.12Ω (VGS=10V, ID=23A)的低导通电阻 (RDS(on))以及出色的耐用性，非常适合用于硬开关拓扑结构。DK5有各种通孔和SMD功率封装可供选择，包括长引脚TO-247和ISOTOP封装。
了解详情

结果: 3
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l
数据表
600库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
数据表
697库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
数据表
460库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 44 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 175 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube