FGHL75T65MQDTx沟槽式IGBT

安森美半导体FGHL75T65MQDTx沟槽式IGBT是第四代中速IGBT技术，内置额定电流二极管。 FGHL75T65MQDTx IGBT的最高结温为+175°C，集电极-发射极电压为650V，集电极电流为75A。这些IGBT具有正温度系数（便于并联工作）、大电流能力、平滑和优化的开关以及紧密的参数分布。FGHL75T65MQDT采用TO247-3L封装，FGHL75T65MQDTL4 IGBT采用FGHL75T65MQDTL4 IGBT封装。这些IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、ESS、PFC和转换器等应用。