LMG2652RFBR

Texas Instruments
595-LMG2652RFBR
LMG2652RFBR

制造商:

说明:
栅极驱动器

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
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库存量: 1,368

库存:
1,368 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥115.7798 ¥115.78
¥94.1516 ¥941.52
¥89.8011 ¥2,245.03
¥77.9022 ¥7,790.22
¥74.4331 ¥18,608.28
¥67.913 ¥33,956.50
¥66.2632 ¥66,263.20
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)
¥56.274 ¥112,548.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
GaN FETs
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-19
1 Driver
1 Output
10 V
26 V
Non-Inverting
30 ns
23 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
开发套件: LMG2652EVM-101
输入电压 - 最大值: 26 V
输入电压 - 最小值: 10 V
最大关闭延迟时间: 55 ns
最大开启延迟时间: 45 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 6.1 A
产品类型: Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
关闭: No Shutdown
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
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已选择的属性: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半桥

Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半桥简化了设计,减少了元件数量,减少了电路板空间。通过在6mmx8mm QFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器实现了简化。与传统的电流检测电阻器相比,低侧电流检测仿真降低了功耗。它允许低侧散热焊盘连接到冷却PCB电源接地。