SIHx5N80AE功率MOSFET
Vishay/Siliconix SIHx5N80AE功率MOSFET具有低品质因数、低有效电容以及低开关和导通损耗。Vishay/Siliconix SIHx5N80AE功率MOSFET具有850V漏源电压,非常适合用于服务器和电信电源。此外,SIHx5N80AE MOSFET采用超低栅极电荷和集成齐纳二极管ESD保护。
Vishay/Siliconix SIHx5N80AE功率MOSFET具有低品质因数、低有效电容以及低开关和导通损耗。Vishay/Siliconix SIHx5N80AE功率MOSFET具有850V漏源电压,非常适合用于服务器和电信电源。此外,SIHx5N80AE MOSFET采用超低栅极电荷和集成齐纳二极管ESD保护。