小信号功率MOSFET

英飞凌 小信号功率MOSFET是具有出色稳定性和性价比的N沟道和P沟道设备。这些MOSFET简化了消费电子行业市场中各种应用的设计复杂性。该小信号功率MOSFET提供有逻辑电平和正常电平栅极驱动器能力,并具有宽范围的导通电阻 (RDS(on)) 选项。这些MOSFET经测试符合JEDEC工业标准,并评定了雪崩能力。小信号功率MOSFET具有60V至600V击穿电压、设计灵活性和栅极驱动器灵活性。这些MOSFET符合RoHS标准,不含卤素。典型应用包括洗衣机、风扇、吸尘器、SMPS、自动化和医疗。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 2,450库存量
剪切带
¥7.0286
¥3.1866
¥2.8024
¥2.147
卷轴
¥1.6498
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 36,960库存量
剪切带
¥2.147
¥0.93451
¥0.81925
¥0.59551
卷轴
¥0.57065
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 3,496库存量
剪切带
¥6.5314
¥2.9719
¥2.6103
¥1.9888
卷轴
¥1.7289
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small-Signal Power-Transistor
6,000预期 2027/1/28
剪切带
¥3.3109
¥1.4577
¥1.2656
¥0.94242
卷轴
¥0.66218
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 240 V 121 mA 14 Ohms 20 V 1.8 V 1.11 nC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V
5,726预期 2026/10/22
剪切带
¥2.7346
¥1.2204
¥1.05881
¥0.78535
卷轴
¥0.71981
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel