小信号功率MOSFET

英飞凌 小信号功率MOSFET是具有出色稳定性和性价比的N沟道和P沟道设备。这些MOSFET简化了消费电子行业市场中各种应用的设计复杂性。该小信号功率MOSFET提供有逻辑电平和正常电平栅极驱动器能力，并具有宽范围的导通电阻 (RDS(on)) 选项。这些MOSFET经测试符合JEDEC工业标准，并评定了雪崩能力。小信号功率MOSFET具有60V至600V击穿电压、设计灵活性和栅极驱动器灵活性。这些MOSFET符合RoHS标准，不含卤素。典型应用包括洗衣机、风扇、吸尘器、SMPS、自动化和医疗。

结果: 5
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V
数据表
25,486库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V
数据表
2,417库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V
数据表
2,462库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V
数据表
9,028库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small-Signal Power-Transistor
数据表
2,457库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 240 V 121 mA 14 Ohms 20 V 1.8 V 1.11 nC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape