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SIJK140E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK140E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJK140E-T1-GE3
Price: 59.15 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

78-SIJK140E-T1-GE3

制造商编号：

SIJK140E-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

数据表:

SIJK140E-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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	¥45.3243	¥453.24
	¥33.1655	¥3,316.55
	¥32.1711	¥16,085.55
	¥30.4422	¥30,442.20

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK 10x12
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	795 A
Rds On-漏源导通电阻:	470 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	312 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	536 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	45 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	45 ns
系列:	SiJK140E
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	85 ns
典型接通延迟时间:	40 ns

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数据表

SIJK140E-T1-GE3 数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiJK140E N沟道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^® 第五代功率技术。该MOSFET优化了功率效率，R_DS(on) 可最大限度地降低导通期间的功率损耗，确保高效运行。SiJK140E MOSFET 100%经过R_g 和UIS测试。该功率MOSFET可增强功率耗散并降低热阻（R_thJC）。典型应用包括同步整流、自动化、OR-ing和热插拔开关、电源、电机驱动控制和电池管理。

采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

Vishay/Siliconix超结MOSFET采用PowerPAK^® 10x12封装，具备先进功率技术。这些功率MOSFET可优化功率效率，R_DS(on) 尽可能降低导通期间的功率损耗，确保高效运行。这些元器件100%经过Rg和UIS测试。Vishay/Siliconix超结MOSFET具有更好的功率耗散和较低的热阻(R_thJC)。典型应用包括同步整流、自动化和电源。