IFN160 N沟道50V低Ciss JFET

InterFET  IFN160 N沟道50V低Ciss JFET具有低栅极漏电流、低截止电压和低输入电容 (Ciss)。这些JFET具有高辐射容差、定制测试和分档选项。IFN160 JFET有SMT和裸片封装选项。这些JFET包括极端案例SPICE建模（SPICE是电路性能仿真的事实标准）。IFN160 JFET设计用于成本敏感型低噪声设计，非常适合用于音频麦克风和前置放大器设计。这些JFET符合RoHS、REACH和CMR标准。典型应用包括信号混频器、高阻抗开关、耳机放大器、音频滤波器、前置放大器扬声器驱动器、超声波设备、雷达和通信系统，以及辐射检测。