CoolSiC™ MOSFET 1200 V评估平台

英飞凌CoolSiC ™ MOSFET 1200V评估平台用于演示与EiceDriver ™ 栅极驱动器IC耦合时45mΩ CoolSiC™1200V SiC沟槽式MOSFET (IMZ120R045M1) 的特性。 该评估平台包括一个模块化主板 (EVALPSSICDPMAGITOBO1)、一个米勒钳位子板 (REFPSSICDP1TOBO1) 和一个双极电源子板 (REFPSSICDP2TOBO1)。

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