RV8L002SN和RV8C010UN小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RV8L002SN和RV8C010UN小信号MOSFET采用无引线超小型封装,具有裸露漏极焊盘,可实现出色的导热性能。RV8L002SN和RV8C010UN MOSFET还具有非常快的开关速度、2.5V超低电压驱动以及高达2kV的ESD保护。
ROHM Semiconductor RV8L002SN和RV8C010UN小信号MOSFET采用无引线超小型封装,具有裸露漏极焊盘,可实现出色的导热性能。RV8L002SN和RV8C010UN MOSFET还具有非常快的开关速度、2.5V超低电压驱动以及高达2kV的ESD保护。