FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT
安森美半导体FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT(绝缘栅极双极晶体管)采用坚固的高性价比超级场终止型沟槽结构。FGY60T120SQDN在苛刻的开关应用中提供卓越的性能,具有低导通状态电压和极低的开关损耗。FGY60T120SQDN还设有集成式快速软恢复续流二极管,正向电压低,可实现快速恢复。
安森美半导体FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT(绝缘栅极双极晶体管)采用坚固的高性价比超级场终止型沟槽结构。FGY60T120SQDN在苛刻的开关应用中提供卓越的性能,具有低导通状态电压和极低的开关损耗。FGY60T120SQDN还设有集成式快速软恢复续流二极管,正向电压低,可实现快速恢复。