FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT

安森美半导体FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT(绝缘栅极双极晶体管)采用坚固的高性价比超级场终止型沟槽结构。FGY60T120SQDN在苛刻的开关应用中提供卓越的性能,具有低导通状态电压和极低的开关损耗。FGY60T120SQDN还设有集成式快速软恢复续流二极管,正向电压低,可实现快速恢复。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 60A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 70库存量
450预期 2026/3/17
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 1.2 kV 2.25 V - 20 V, 20 V 105 A 635 W - 55 C + 175 C FGY60T120SWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 1200V 60A UFS 436库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 25 V, 25 V 120 A 517 W - 55 C + 175 C FGY60T120SQDN Tube