600V 和 1200V TRENCHSTOP IGBT

Infineon 600V & 1200V TRENCHSTOP™ IGBT 结合了沟槽顶部单元和场终止概念，因此可显著提高静态和动态性能。 IGBT 和软恢复发射极控制二极管的组合进一步降低了导通损耗。 开关和传导损耗之间的折衷可获得高效率。
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结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
1,200预期 2027/4/8
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
480预期 2026/9/17
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 67 A 246 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube