SIZF300DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
39 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥15.7183 ¥15.72
¥10.3395 ¥103.40
¥7.6162 ¥761.62
¥6.2489 ¥3,124.45
¥5.4692 ¥5,469.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.5087 ¥13,526.10
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR3x3-4
N-Channel
2 Channel
30 V
75 A, 141 A
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
1 V, 1.1 V
22 nC, 62 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 7 ns, 12 ns
正向跨导 - 最小值: 60 S, 90 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 40 ns, 53 ns
系列: SIZ
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns, 30 ns
典型接通延迟时间: 17 ns, 25 ns
单位重量: 143.050 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术，具有低热阻。

PowerPAIR®双MOSFET

Vishay PowerPAIR®双MOSFET在单一紧凑型封装中集成了几款经过优化的MOSFET。这些采用单一封装的PowerPAIR双MOSFET占用更少的空间，并提供比单独的分立式器件更卓越的性能。通过在PowerPAIR封装内部连接两个MOSFET，可以简化布局，减少因PCB走线产生的寄生电感，从而提高效率。

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