NVTFWS003N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS003N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS003N04XMTAG
Price: 11.49 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-VTFWS003N04XMTAG

制造商编号：

NVTFWS003N04XMTAG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥12.9837	¥12.98
	¥8.1473	¥81.47
	¥5.4127	¥541.27
	¥4.2714	¥2,135.70
	¥3.8533	¥3,853.30
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥3.5256	¥5,288.40
	¥3.1753	¥9,525.90
	¥3.0736	¥27,662.40

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WDFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	98 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	52 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	44 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	NVTFWS003N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	9 ns
典型接通延迟时间:	6 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NVTFWS003N04XMTAG 数据表 (PDF)

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTFWS003N04XM MOSFET

安森美NVTFWS003N04XM MOSFET具有低_RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的封装。该MOSFET具有40V漏极-源极电压、98A连续漏极电流以及2.85mΩ漏极-源极电阻（10V时）。安森美NVTFWS003N04XM MOSFET采用3.3mmx3.3mm小尺寸封装，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流应用。