MGDT采用平面封装的小型栅极驱动变压器

Vishay MGDT采用平面封装的小型栅极驱动变压器采用表面贴装或通孔端接，与传统的骨架和环形绕线技术相比，占板面积少40%，高度低33%。它们可同时提供MOSFET和IGBT栅极功率和时序信号。这些变压器可驱动高达1200V总线上的MOSFET/IGBT，旨在实现出色的上升时间、过冲和峰值电流特性。该款MGDT变压器采用薄型、平面封装，适用于多频段运行。这些变压器从驱动到栅极的最小爬电距离和电气间隙为8mm。该器件可承受高瞬态电压。该款MGDT变压器的LM和SM版本均符合RoHS指令。该款MGDT变压器设有通孔和表面贴装端子。这些音频和信号变压器的工作温度范围为-55°C至125°C，储存温度范围为-55°C至130°C。