SCT2H12NWBTL1

Name: ROHM Semiconductor SCT2H12NWBTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT2H12NWBTL1
Price: 43.7 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-SCT2H12NWBTL1

制造商编号：

SCT2H12NWBTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET TO263 1.7KV N-CH 3.9A

寿命周期:

新产品:

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数据表:

SCT2H12NWBTL1 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263CA-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.7 kV
Id-连续漏极电流:	3.9 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 6 V to + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	24 nC
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	39 W
通道模式:	Enhancement
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	32 ns
正向跨导 - 最小值:	0.4 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	N-channel SiC power MOSFET
典型关闭延迟时间:	24 ns
典型接通延迟时间:	12 ns

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET是一款额定漏源电压 (V_DSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (I_D) 为3.9A的设备。该设备的漏源导通电阻 [R_DS(ON)] 为1.15mΩ（典型值，V_GS = 18V、I_D = 1.1A、T_vj = +25°C时），采用15.5mm x 10.2mm TO-263CA (TSMT3) 封装。该器件开关速度快、爬电距离大，且易于驱动。ROHM Semiconductor SCT2H12NWB MOSFET适用于辅助电源和开关电源应用。