VSMY1850高速红外发光二极管
Vishay Semiconductors VSMY1850高速红外发光二极管基于GaAlAs表面发射器芯片技术，具有850nm的峰值波长。该二极管具有高辐射强度、高速度和高光功率特性。VSMY1850二极管采用透明无色的0805塑料封装模制而成，以实现表面贴装。
Vishay Semiconductors VSMY1850高速红外发光二极管基于GaAlAs表面发射器芯片技术，具有850nm的峰值波长。该二极管具有高辐射强度、高速度和高光功率特性。VSMY1850二极管采用透明无色的0805塑料封装模制而成，以实现表面贴装。