NVMFWS0D45N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS0D45N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS0D45N04XMT1G
Price: 25.47 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-MFWS0D45N04XMT1G

制造商编号：

NVMFWS0D45N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NVMFWS0D45N04XMT1G 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NVMFWS0D45N04XMT1G详情

库存量: 4,091

库存：: 4,091 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 50 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥28.7811	¥28.78
	¥19.8541	¥198.54
	¥16.9613	¥1,696.13
	¥16.7918	¥8,395.90
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥16.046	¥24,069.00
	¥15.6279	¥46,883.70

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFNW-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	469 A
Rds On-漏源导通电阻:	450 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	115 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	180 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	MY
扩散国家:	JP
原产国:	MY
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	278 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	17 ns
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	46 ns
典型接通延迟时间:	11 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NVMFWS0D45N04XMT1G 数据表

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFWS0D45N04XM MOSFET

安森美NVMFWS0D45N04XM MOSFET是一款单N沟道STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。该器件具有40V漏极-源极电压、469A连续漏极电流，符合AECQ101标准。安森美 (onsemi) NVMFWS0D45N04XM MOSFET具有低电容和低R_DS(on)，可最大限度地降低驱动器和导通损耗。NVMFWS0D45N04XM采用5mmx6mm的小尺寸，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流。