NVMFWS0D45N04XMT1G

onsemi
863-MFWS0D45N04XMT1G
NVMFWS0D45N04XMT1G

制造商：

说明：
MOSFET 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 4,251

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥38.3748 ¥38.37
¥25.3911 ¥253.91
¥19.8541 ¥1,985.41
¥17.6167 ¥8,808.35
¥15.142 ¥15,142.00
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥14.2267 ¥21,340.05

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
469 A
450 uOhms
20 V
3.5 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
180 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 278 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVMFWS0D45N04XM MOSFET

安森美NVMFWS0D45N04XM MOSFET是一款单N沟道STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。该器件具有40V漏极-源极电压、469A连续漏极电流，符合AECQ101标准。安森美 (onsemi) NVMFWS0D45N04XM MOSFET具有低电容和低RDS(on)，可最大限度地降低驱动器和导通损耗。NVMFWS0D45N04XM采用5mmx6mm的小尺寸，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流。

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