NVTFS014P04M8L功率MOSFET
安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET是-40V和-49A单P沟道MOSFET，具有低导通电阻 (RDS (on)) 和电容，可最大限度地降低导通和驱动器损耗。安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET的占位面积为3.3mm × 3.3mm，设计紧凑。这些功率MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。
安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET是-40V和-49A单P沟道MOSFET，具有低导通电阻 (RDS (on)) 和电容，可最大限度地降低导通和驱动器损耗。安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET的占位面积为3.3mm × 3.3mm，设计紧凑。这些功率MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。