NTMFS6H824N N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTMFS6H824N N沟道功率MOSFET是一款紧凑型高效设计的工业功率MOSFET,具有较高的散热性能。这种MOSFET具有低RDS(on) 特性,可最大限度地减少传导损耗,同时还具有低QG 和电容特性,可最大限度地减少驱动器损耗。NTMFS6H824N单N-通道功率MOSFET是一款符合 RoHS 标准的无铅设备,采用5mm x 6mm的扁平引线封装 。典型应用包括直流/直流转换器、负载开关、电机控制、电池组和储能系统 (ESS)。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
onsemi MOSFET Power MOSFET 80V, 110A, 4.0 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL. 1,178库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 103A, 4.5mohm 1,441库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape