SIHH080N60E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHH080N60ET1-GE3
SIHH080N60E-T1-GE3

制造商:

说明:
MOSFET PWRPK 600V 32A N-CH MOSFET

ECAD模型:
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库存量: 2,143

库存:
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¥-.--
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封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥52.4433 ¥52.44
¥35.1543 ¥351.54
¥25.312 ¥2,531.20
¥23.3232 ¥11,661.60
¥22.0802 ¥22,080.20
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥22.0802 ¥66,240.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK 8x8-4
N-Channel
1 Channel
600 V
32 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
184 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 4.6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 96 ns
系列: SIHH E
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 31 ns
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

SiHH080N60E E系列功率MOSFET

Vishay/Siliconix SiHH080N60E E系列功率MOSFET采用第四代E系列技术和PowerPAK® 8 x 8封装。SiHH080N60E MOSFET具有低品质因数 (FOM) Ron x Qg和低有效电容 (CO(er))。Vishay/Siliconix SiHH080N60E E系列功率MOSFET降低了开关和导通损耗,具有650V漏源电压63nC总栅极电荷。