NTTFSxD1N0xHL N通道PowerTrench® MOSFET

安森美半导体NTTFSxD1N0xHL N沟道PowerTrench® MOSFET采用高性能屏蔽栅极MOSFET技术，以实现极低导通电阻 (R_{DS (on)})。这些安森美半导体单通道MOSFET具有低开关噪声/EMI，100%经过UIL测试的MSL1稳健封装设计。NTTFSxD1N0xHL MOSFET采用无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR)、符合RoHS指令的WDFN8封装。典型应用包括直流－直流降压转换器、负载点、高效负载开关和低侧开关、ORing FET、直流－直流电源和MV同步降压转换器。