MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—基极电压 VCBO 发射极 - 基极电压 VEBO 集电极—射极饱和电压 Pd-功率耗散 增益带宽产品fT 最小工作温度 最大工作温度 资格 封装
Panjit 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified 26,735库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 29,441库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel