结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 1,955库存量
1,500预期 2026/2/20
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 4,016库存量
1,500预期 2026/4/3
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 2,540库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 6,718库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 5,932库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 280库存量
10,500在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 188库存量
6,000预期 2026/10/2
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 323 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 72.1 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 1,350库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape