RS6N120BHTB1

ROHM Semiconductor
755-RS6N120BHTB1
RS6N120BHTB1

制造商：

说明：
MOSFET Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

数据表:
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预期 2026/5/28
生产周期：
18
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥30.1936 ¥30.19
¥19.6846 ¥196.85
¥15.3906 ¥1,539.06
¥12.9046 ¥6,452.30
¥11.2548 ¥11,254.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥11.2548 ¥28,137.00

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOP-8
N-Channel
1 Channel
80 V
135 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
53 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 35 ns
正向跨导 - 最小值: 42 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 47 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 73 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RS6N120BH N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RS6N120BH N沟道功率MOSFET是一种紧凑型低损耗MOSFET，具有有助于高效率运行的铜夹片结构。该系统增加了电流容量，同时降低了封装电阻。此功能使RS6N120BH成为使用24V/36V/48V电源运行的驱动器应用的理想选择。

RS6/RH6铜夹片封装N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RS6/RH6铜夹片封装N沟道功率MOSFET能够在降低封装电阻的情况下实现大电流处理能力。HSOP-8和HSMT-8封装元件同时提供低导通电阻和栅极电荷电容，可最大限度地降低能量损耗。这些MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C，非常适合用于采用24V/36V/48V电源工作的驱动应用。

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