NTMFS5C628NL N沟道MOSFET

onsemi NTMFS5C628NL N沟道MOSFET旨在满足现代电子器件的需求。onsemi NTMFS5C628NL MOSFET的占位面积小,仅5mm x 6mm。该MOSFET采用紧凑型设计,对于紧密的电路布局,可节省宝贵的空间。此外,低RDS (on) 可最大限度地降低传导损耗,从而确保出色的电能传输效率。此款MOSFET还具有低QG 和低电容,可最大限度地降低驱动器损耗,因此非常适合用于高速开关应用。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 2,629库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 1,327库存量
4,500预期 2026/9/25
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel