LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FET

Texas Instruments LMG342xR050 600V 50mΩ 带有集成驱动器和保护功能的GaN FET使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。LMG342xR050集成了硅驱动器，开关速度高达150V/ns。与分立硅栅极驱动器相比，TI的集成精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成与TI的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑结构中实现清洁开关和最小振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制从20V/ns到150V/ns的压摆率，可用于主动控制EMI和优化开关性能。